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  • CVD合成石英HOSQ-021
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  • CVD合成石英HOSQ-021

    以四氟化硅为原料，采用CVD法制造，具有大尺寸、低杂质含量等特性，光学均匀性好，可用于LCD光掩膜基板、高能激光光学元件和半导体石英器件的制造。

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商品描述

以四氟化硅为原料，采用CVD法制造，具有大尺寸、低杂质含量等特性，光学均匀性好，可用于LCD光掩膜基板、高能激光光学元件和半导体石英器件的制造。

产品指标


型号

金属杂质

（ppb））

羟基

（ppm）

均匀性条纹

应力双折射

（nm/cm）

尺寸

（mm）

波段

（nm）

HOSQ-021＜500＜1000NS1D＜5D1000190-2500

备注：可根据使用尺寸定制生产方案


金属杂质含量


单位：ppb

AlBaCaCrCoCuFeKLiMgMn
NiNaTi含金量
＜50＜5＜50＜2＜5＜5＜5＜20＜5＜5＜5＜5＜40＜5＜500


光学非均匀性与应力双折射


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  • VAD合成石英HOSQ-032

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    ￥1800.00
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    ￥1800.00
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