碳化硅衬底的加工工艺主要包括以下几个关键步骤‌：

‌原料准备与晶体生长‌：

将高纯的硅粉和碳粉按工艺配方均匀混合，高温反应去除杂质，得到特定晶型和颗粒度的碳化硅颗粒。

在接近真空、低压、高温的密闭生长腔内加热碳化硅粉末，使其升华成反应气体。

反应气体在温度梯度驱动下沉积在籽晶表面，形成圆柱状的碳化硅晶锭‌1。

‌晶体切割与定向‌：

使用砂浆线切割、金刚线切割或激光剥离等技术将碳化硅晶锭沿一定方向切割成薄片，得到碳化硅晶片。

通过晶体定向技术控制晶体生长方向，确保晶片的质量‌。

‌衬底加工‌：

‌切割‌：初步切割晶片，此过程可能产生切口损耗和磨抛损耗。

‌研磨‌：包括粗磨和精磨两个环节。粗磨使用较大粒径的磨粒去除切片表面的损伤层；精磨则使用较小粒径的磨粒进一步去除损伤，保证衬底面型精度。

‌抛光‌：采用化学机械抛光（CMP）技术，包括粗抛和超精密抛光，以去除机械损伤，提高镜片表面质量，达到原子级光滑‌。

‌清洗与检验‌：

对加工完成的碳化硅衬底进行清洗，去除表面残留的研磨液和抛光液。

进行严格的质量检验，确保衬底符合规定的尺寸、表面粗糙度、平整度等要求‌。