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新闻与技术
  • 06 2021-10

    砷化镓的主要用途是什么

    砷化镓是一种化合物半导体材料,分子式GaAs。立方晶系闪锌矿结构,即由As和Ga两种原子各自组成面心立方晶格套构而成的复式晶格,其晶格常数是5.6419A。室温下禁带宽度1.428eV,是直接带隙半导体,熔点1238℃,质量密度5.307g/cm3,电容率13.18。砷化镓单晶的导带为双能谷结构,其最低能谷位于第一布里渊区中心,电子有效质量是0.068m0(m0为电子质量,见载流子),次低能谷位于方向的L点,较最低能谷约高出0.29eV,其电子有效质量为0.55m0,价带顶约位于布里渊区中心,价带中轻空穴和重空穴的有效质量分别为0.082m0和0.45m0。较纯砷化镓晶体的电子和空穴迁移率分别为8000cm2/(V·s)和100~300cm2/(V·s),少数载流子寿命为10-2~10-3μs。在其中掺入Ⅵ族元素Te、Se、S等或Ⅳ族元素Si,可获得N型半导体,掺入Ⅱ族元素Be、Zn等可制得P型半导体,掺入Cr或提高纯度可制成电阻率高达107~108Ω·cm的半绝缘材料。近十余年来,由于分子束外延和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术的发展,可在GaAs单晶衬底上制备异质结和超晶格结构,已用这些结构制成了新型半导体器件如高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结双极型晶体管(HBT)及激光器等,为GaAs材料的应用开发了更广阔的前景。

  • 11 2020-06
  • 07 2020-06

    国产芯片新突破点!报告揭秘爆发中的第三代半导体材料

    第三代半导体材料是功率半导体跃进的基石。第三代半导体材料众多战略行业可以降低50%以上的能量损失,最高可以使装备体积减小75%以上,是半导体产业进一步跃进的基石。先进半导体材料已上升至国家战略层面,2025年目标渗透率超过50%。底层材料与技术是半导体发展的基础科学,在2025中国制造中,对第三代半导体单晶衬底、光电子器件/模块等细分领域做出了目标规划。在任务目标中提到2025实现在5G通信、高效能源管理中的国产化率达到50%;在新能源汽车、消费电子中实现规模应用,在通用照明市场渗透率达到80%以上。

  • 14 2020-04

    一步法消除蓝宝石晶体材料的内部应力

    温度梯度法( TGT) 生长蓝宝石晶体不可避免出现应力。为提高晶体的品质和加工质量需进行释放应力去色退火处理。使用现有“两步法”退火工艺,由于其退火温度低且速度慢,需要付出较高的时间成本和退火工艺的成本。现提出了“一步法”退火工艺,即在1750 ~ 1800 ℃空气气氛中直接进行高温退火。蓝宝石晶棒经“一步法”退火处理后,其内部澄清透明,且晶片加工终检的翘曲度( warp) 和弯曲度( bow) 的不良率较未退火前分别降低了100% 和70%。蓝宝石晶棒的高温退火处理效果明显,可在其他晶体材料中尝试推广。

  • 07 2020-03

    光学材料之无色光学玻璃

    本文介绍了无色光学玻璃系列。

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