钛:蓝宝石晶体

钛:蓝宝石晶体的特征在于较短的高态寿命和高饱和功率，具有优良的导热性，宽增益带宽，多种可能的泵浦波长（通常为532 nm）。可用于具有超短脉冲的锁模激光器，多通放大器和再生放大器。

蓝宝石衬底上能长些啥

在基片/衬底材料领域，蓝宝石无疑占据着龙头地位。举个LED芯片的例子，从衬底材料的使用来看，除了Cree采用碳化硅衬底、晶能采用硅衬底，目前世界上绝大多数的芯片制造商都采用蓝宝石衬底.

砷化镓的主要用途是什么

砷化镓是一种化合物半导体材料，分子式GaAs。立方晶系闪锌矿结构，即由As和Ga两种原子各自组成面心立方晶格套构而成的复式晶格，其晶格常数是5.6419A。室温下禁带宽度1.428eV，是直接带隙半导体，熔点1238℃，质量密度5.307g/cm3，电容率13.18。砷化镓单晶的导带为双能谷结构，其最低能谷位于第一布里渊区中心，电子有效质量是0.068m0(m0为电子质量，见载流子)，次低能谷位于方向的L点，较最低能谷约高出0.29eV，其电子有效质量为0.55m0，价带顶约位于布里渊区中心，价带中轻空穴和重空穴的有效质量分别为0.082m0和0.45m0。较纯砷化镓晶体的电子和空穴迁移率分别为8000cm2/(V·s)和100～300cm2/(V·s)，少数载流子寿命为10-2～10-3μs。在其中掺入Ⅵ族元素Te、Se、S等或Ⅳ族元素Si，可获得N型半导体，掺入Ⅱ族元素Be、Zn等可制得P型半导体，掺入Cr或提高纯度可制成电阻率高达107～108Ω·cm的半绝缘材料。近十余年来，由于分子束外延和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术的发展，可在GaAs单晶衬底上制备异质结和超晶格结构，已用这些结构制成了新型半导体器件如高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结双极型晶体管(HBT)及激光器等，为GaAs材料的应用开发了更广阔的前景。

蓝宝石玻璃改变你的生活

国产芯片新突破点！报告揭秘爆发中的第三代半导体材料

第三代半导体材料是功率半导体跃进的基石。第三代半导体材料众多战略行业可以降低50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减小75%以上，是半导体产业进一步跃进的基石。先进半导体材料已上升至国家战略层面，2025年目标渗透率超过50%。底层材料与技术是半导体发展的基础科学，在2025中国制造中，对第三代半导体单晶衬底、光电子器件/模块等细分领域做出了目标规划。在任务目标中提到2025实现在5G通信、高效能源管理中的国产化率达到50%；在新能源汽车、消费电子中实现规模应用，在通用照明市场渗透率达到80%以上。