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爆轰多晶金刚石微粉
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爆轰多晶金刚石微粉

GRISH爆轰多晶金刚石微粉以爆炸法合成,其颗粒晶体结构与天然的Carbonado极为相似,通过不饱和键结合成多晶体结构。与单晶金刚石相比,多晶金刚石具有更多的晶棱和磨削面,每条晶棱都具有切削能力,因此有很高的去除率。多晶金刚石具有自锐性和韧性,在抛光过程中,粗颗粒会破碎成更小的颗粒,可避免对工件表面造成划伤,而新的裂面具有更多锋利的切削棱,既保证了工件表面质量,又提高了研磨切削效率,在某些高质量要求的产品加工过程中显示出它独特的优越性。

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商品描述

GRISH爆轰多晶金刚石微粉以爆炸法合成,其颗粒晶体结构与天然的Carbonado极为相似,通过不饱和键结合成多晶体结构。与单晶金刚石相比,多晶金刚石具有更多的晶棱和磨削面,每条晶棱都具有切削能力,因此有很高的去除率。多晶金刚石具有自锐性和韧性,在抛光过程中,粗颗粒会破碎成更小的颗粒,可避免对工件表面造成划伤,而新的裂面具有更多锋利的切削棱,既保证了工件表面质量,又提高了研磨切削效率,在某些高质量要求的产品加工过程中显示出它独特的优越性。


产品指标
种类  规格 D10(μm) D50(μm) D90(μm) 用途
常规品 PCD1/8  ≥0.06 0.10-0.14  ≤0.21   光学晶体、超硬陶瓷、SiC衬底、金属的表面精密抛光
PCD1/4 ≥0.11 0.20-0.25 ≤0.40

PCD0-1 ≥0.40 0.48-0.55 ≤0.72

PCD0-2 ≥0.70 0.90-1.10 ≤1.50

PCD2-4 ≥1.80 2.70-3.00  ≤4.50 蓝宝石和SiC衬底的粗抛

PCD3-6  ≥2.80 4.00-4.40 ≤7.00

PCD4-8  ≥4.00  5.50-6.00 ≤8.60   LED芯片的背部减薄

PCD5-9 ≥4.70 6.30-7.00 ≤10.00

PCD5-12 ≥5.20 7.20-7.80 ≤13.00
高级品 PCD G3 ≥2.00 2.80-3.10  ≤4.40 蓝宝石和SiC衬底的粗抛
PCD G3.5 ≥2.40  3.30-3.60
PCD G4 ≥2.90 3.90-4.20
  
 产品特点
1.保持高切削力的同时,能达到精密抛光效果,不易产生划伤,尤其适合硬度高或由不同硬度材料构成的工件;
2. 与单晶金刚石相比,颗粒韧性高,且具有自锐性;
3. 耐磨性高、使用寿命长。

应用领域
蓝宝石材料研磨    、LED芯片减薄、 光学晶体表面抛光 、超硬陶瓷和金属表面精密加工。